晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

在含Cr6 +的硝酸介質(zhì)中，選擇cr14ni14和1cr18ni11ti高純Cr Ni不銹鋼，研究了C、P、Si和B對(duì)非敏化晶間腐蝕的影響;0.1%， P & gt= 0.01%，有顯著危害;當(dāng)Si含量接近Cr - Ni不銹鋼的正常含量(~ 0.8%)時(shí)，非敏化晶間腐蝕敏感性最大，且Si含量高于或低于該含量時(shí)晶間腐蝕敏感性降低;B量& gt= 0.0008%，對(duì)非敏化晶間腐蝕有害。對(duì)低Si、低P高純Cr - Ni奧氏體鋼的進(jìn)一步研究表明，這些不銹鋼在非敏化狀態(tài)下不存在晶間腐蝕傾向。透射電鏡和俄耳杰光譜儀的晶界分析結(jié)果證實(shí)，晶界上P、Si和B等元素的偏析和優(yōu)先溶解是造成非敏化晶界腐蝕的主要原因。

P. Si、B等雜質(zhì)元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學(xué)濃度差而引起的簡單電化學(xué)腐蝕過程，或者是偏析導(dǎo)致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進(jìn)一步探討。

在某些合金介質(zhì)體系中，常發(fā)生嚴(yán)重的晶間腐蝕。例如，奧氏體不銹鋼在弱氧化介質(zhì)(如曝氣海水)或強(qiáng)氧化介質(zhì)(如濃硝酸)等特定腐蝕介質(zhì)中可能產(chǎn)生嚴(yán)重的晶間腐蝕。